MC3423DR2电路保护的TVS-混合技术规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MC3423DR2 |
| 参数属性 | MC3423DR2 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为电路保护的TVS-混合技术；MC3423DR2应用范围：通用；产品描述：IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC |
| 功能描述 | Overvoltage Crowbar Sensing Circuit |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
86.82 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 16:38:00 |
| 人工找货 | MC3423DR2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MC3423DR2规格书详情
MC3423DR2属于电路保护的TVS-混合技术。由安森美半导体制造生产的MC3423DR2TVS - 混合技术混合技术 TVS（瞬态电压抑制器）产品族中的产品属于过压保护产品，其中结合了基于多种技术的保护机制，例如串联连接的 MOV（金属氧化物压敏电阻）和 GDT（气体放电管），旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。
产品属性
更多- 产品编号：
MC3423DR2
- 制造商：
onsemi
- 类别：
电路保护 > TVS - 混合技术
- 包装：
卷带（TR）
- 技术：
混合技术
- 应用：
通用
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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