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MC3423DR2电路保护的TVS-混合技术规格书PDF中文资料

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厂商型号

MC3423DR2

参数属性

MC3423DR2 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-混合技术;MC3423DR2应用范围:通用;产品描述:IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

功能描述

Overvoltage Crowbar Sensing Circuit
IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

86.82 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2026-2-4 22:59:00

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MC3423DR2规格书详情

MC3423DR2属于电路保护的TVS-混合技术。由安森美半导体制造生产的MC3423DR2TVS - 混合技术混合技术 TVS(瞬态电压抑制器)产品族中的产品属于过压保护产品,其中结合了基于多种技术的保护机制,例如串联连接的 MOV(金属氧化物压敏电阻)和 GDT(气体放电管),旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MC3423DR2

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 混合技术

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 技术:

    混合技术

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC SENSOR OVERVOLTAGE 8-SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
8-SOIC
21000
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25+
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21000
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