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MBRS260T3D	文件：61.84 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：61.84 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MBRS260T3G	文件：267.71 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a metalïtoïsilicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and p 文件：267.71 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多MBRS260T3D供应商更新时间2026-2-4 16:51:00