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MBRF30H60CTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE SCHOTTKY	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRF30H60CTH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRF30H60CTHE3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V ITO220	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MBRJ30H60CTG	文件：170.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier 文件：170.81 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
STGB30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(s 文件：1.95033 Mbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DFB	文件：1.75373 Mbytes Page：21 Pages	Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency conve 文件：1.75373 Mbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
MBRF30H60CTH
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
SWITCHMODE™
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
15A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220FP
描述：
DIODE SCHOTTKY

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