Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vish

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\n Lower power losses, high efficiency\n Low forward voltage drop\n\n ;

Vishay

威世

TO-220

TSC(台半)

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TO-220

NAMC耐美

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TO-220F

FIRST/福斯特

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