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MBRB2535CTLT4	文件：61.6 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE??Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package SWITCHMODE™ Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package The D2PAK Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for us 文件：61.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRB2535CTLT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 12.5A D2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRB2535CTLT4G	文件：142.69 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Power Rectifier SWITCHMODE Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package The D2PAK Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use 文件：142.69 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRB2535CTLT4G	文件：61.6 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE??Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package SWITCHMODE™ Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package The D2PAK Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for us 文件：61.6 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRB2535CTLT4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MBRB2535CTLT4
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
12.5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 12.5A D2PAK

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