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MBRB2535CTLT4G分立半导体产品二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

MBRB2535CTLT4G
厂商型号

MBRB2535CTLT4G

参数属性

MBRB2535CTLT4G 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK

功能描述

SWITCHMODE??Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK

文件大小

61.6 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 15:00:00

MBRB2535CTLT4G规格书详情

SWITCHMODE™ Power Rectifier D2PAK Surface Mount Power Package

The D2PAK Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diodes, and polarity protection diodes. These state−of−the−art devices have the following features:

Features

• Center−Tap Configuration

• Guardring for Stress Protection

• Low Forward Voltage

• 125°C Operating Junction Temperature

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• Short Heatsink Tab Manufactured − Not Sheared

• Similar in Size to the Industry Standard TO−220 Package

• Pb−Free Packages are Available

MBRB2535CTLT4G属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列。安森美半导体公司制造生产的MBRB2535CTLT4G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MBRB2535CTLT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    12.5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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D2PAK
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