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MBRB20080CT	文件：206.7 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 文件：206.7 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
MBRB20080CT-1	文件：206.7 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 文件：206.7 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
MBRF20080	文件：124.28 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A 文件：124.28 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
MBRF20080R	文件：124.28 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES MODULE TYPE 200A 文件：124.28 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
PTB20080	文件：445.22 Kbytes Page：3 Pages	25 Watts, 1.6-1.7 GHz RF Power Transistor Description ThPTB 20080 is a class A/AB, NPN, silicon bipolar junction, internallymatched RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.6 to 1.7 GHz. It is rated at 25 Watts minimum output power for PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization 文件：445.22 Kbytes 页数：3 Pages	ERICSSON 爱立信	ERICSSON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBRB20080CT供应商更新时间2026-4-1 15:43:00