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MBR3045PT	文件：133.87 Kbytes Page：2 Pages	30.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR3045PT	文件：239.89 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:30A Features ✧Highsurgecapacity. ✧Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ✧Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ✧Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ✧Gu	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR3045PT	文件：377.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:30A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltaged	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR3045PT	文件：127.4 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •DualRectifierConduction •HighSurgeCapacity •HighCurrentCapability,LowForwardVoltageDrop •GuardingforOvervoltageprotection APPLICATIONS •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR3045PT	文件：1.03968 Mbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR3045PT	文件：209.27 Kbytes Page：2 Pages	30ASCHOTTKYRECTIFIER 30ASCHOTTKYRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR3045PT	文件：87.25 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR3045PT	文件：220.62 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR3045PT	文件：259.67 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier DESCRIPTION TheMBR3045PTSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature FEATURES •150°CTJoperation •Highfrequencyoperation •Lowforwardvoltagedrop •	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MBR3045PT	文件：141.63 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

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