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MJ3040	文件：211.59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION ·Built-inBase-EmitterShuntResistors ·HighDCcurrentgainhFE=100(Min)@IC=2.5A ·Collector-EmitterSustainingVoltageVCEO(SUS)=300V(Min) APPLICATIONS ·Developedforlineoperatedamplifier,seriespassandSwitchingregulatorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MLL3040B	文件：99.91 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSGLASSZENERDIODES DESCRIPTION Thissurfacemountablezenerdiodeseriesissimilartothe1N3016thru1N3051JEDECregistrationintheDO-13packageexceptthatitmeetsthesurfacemountDO-213ABoutline.Itisanidealselectionforapplicationsofhighdensityandlowparasiticrequirements.Duetoitsglasshe	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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MPPARCA3040	文件：204.35 Kbytes Page：2 Pages	Mountingplateperforated(350x250x2mm-26x11mm)	FIBOXFIBOX Enclosing innovations 菲宝斯广州菲宝克斯工程塑料有限公司	FIBOX

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