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MBRB3030CT	文件：245.84 Kbytes Page：3 Pages	30AmpSchottkyBarrierRectifier30to60Volts Features •Guardringfortransientprotection •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability,HighEfficiency •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:typenumber •LeadFreeFin	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBRB3030CTG	文件：60.36 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal. Features •GuardringforStressProtection •MaximumDieSize •175°COperatingJunctionTemperature •ShortHeatSinkTabManufactured−NotSheared •Pb−FreePack	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB3030CTL	文件：561.95 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Description/Features ThiscentertapSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters	IRF International Rectifier	IRF
MBRB3030CTL	文件：91.6 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal. Features •DualDiodeConstruction,MaybeParalleledforHigherCurrentOutput •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltageDrop •125°COperatingJunct	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB3030CTL	文件：113.51 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,2x15A DESCRIPTION ThiscentertapSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewhe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB3030CTLG	文件：91.6 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal. Features •DualDiodeConstruction,MaybeParalleledforHigherCurrentOutput •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltageDrop •125°COperatingJunct	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB3030CTLG	文件：185.02 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal. Features •DualDiodeConstruction,MaybeParalleledforHigherCurrentOutput •Guard−RingforStressProtection •LowForwardVoltageDrop •125COperatingJunct	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB3030CTLP	文件：111.35 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,2x15A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB3030CTLPBF	文件：111.35 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,2x15A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB3030CTLPBF	文件：111.35 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,2x15A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
MBR3030ST
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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