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MBR30035CTR	文件：427.2 Kbytes Page：3 Pages	Not ESD Sensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR30035CTR	文件：716.92 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR30035CTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE MODULE 35V 150A 2TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR30035CTRL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：双塔架；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 35V 150A 2 TOWER	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRF30035	文件：467.79 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRH30035L	文件：366.2 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBRP30035	文件：54.9 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHMODE??SchottkyPowerRectifier(POWERTAPIIIPackage) SWITCHMODESchottkyPowerRectifier POWERTAPIIIPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highf	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRP30035L	文件：141.6 Kbytes Page：2 Pages	240AMPSCHOTTKYRECTIFIER 240AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •Guardringprotection •Lowforwardvoltage •VRRM-35to45volts •150°Cjunctiontemperature •Reverseenergytested •ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBRP30035L	文件：54.9 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHMODE??SchottkyPowerRectifier(POWERTAPIIIPackage) SWITCHMODESchottkyPowerRectifier POWERTAPIIIPackage ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highf	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRP30035L	文件：118.26 Kbytes Page：2 Pages	240AmpSchottkyRectifier	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
MBR30035CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基，反极性
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
150A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 35V 150A 2TOWER

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