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MBR160L-SMA-R	文件：120.58 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DESCRIPTION TheUTCMBR160isa1.0Aschottkybarrierrectifier,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighsurgecapability,highefficiency,highcurrentcapability,lowpowerlossandlowforwardvoltagedrop,etc. TheUTCMBR160issuitableforfreewheelingandpol	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR160RL	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR160RLG	文件：67.47 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifiers TheMBR150/160seriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinverters,free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR160TR	文件：84.6 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1A DESCRIPTION TheVS-MBR...axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axiallea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR160TR	文件：120.8 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRA160	文件：216.05 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MBRA160	文件：297.509 Kbytes Page：2 Pages	1A60VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBRA160	文件：1.24803 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRA160	文件：263.72 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRA160	文件：177.38 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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富凯科技(深圳）有限公司	MBR160L-Z41-B	UTC/友顺	24+	NA	8000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	MBR160RGL	VISHAYMAS	25+23+	DO-41	25067	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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