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MBR10100CT-4W	文件：691.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：691.41 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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MBRB10100CT-4W	文件：93.5 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: For definitions of compliance 文件：93.5 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBRF10100CT-4W	文件：691.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：691.41 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

更多MBR10100CT-4W供应商更新时间2026-2-3 14:02:00