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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

512K (64 K X 8) Bit SPI

DESCRIPTION MB85RS512T is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 65,536 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS512T adopts the Serial Peripheral Interface (SPI).

文件:2.5689 Mbytes 页数:36 Pages

RAMXEED

富士通

MB85RS512TPNF-G-JNERE1

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FRAM 512KBIT SPI 30MHZ 8SOP

Kaga FEI America, Inc.

Kaga FEI America, Inc.

MB85RS64PNF-G-JNERE

SOP8

Fujitsu

富士通

上传:深圳市佳兆微电子有限公司

MB85RS64TPNF-G-JNERE2

SOP8

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

SOP-8

产品属性

  • 产品编号:

    MB85RS512TPNF-G-JNERE1

  • 制造商:

    Kaga FEI America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    512Kb(64K x 8)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 电压 - 供电:

    1.8V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    IC FRAM 512KBIT SPI 30MHZ 8SOP

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更多MB85RS512TPNF-G-JNERE1供应商 更新时间2025-11-19 16:10:00