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MB85RQ4MLPF-G-BCE1	文件：2.68147 Mbytes Page：39 Pages	4 M (512 K  8) Bit Quad SPI  DESCRIPTION MB85RQ4ML is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 524,288 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RQ4ML adopts the Quad Serial Peripheral Interface 文件：2.68147 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1	文件：2.68147 Mbytes Page：39 Pages	4 M (512 K  8) Bit Quad SPI  DESCRIPTION MB85RQ4ML is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 524,288 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RQ4ML adopts the Quad Serial Peripheral Interface 文件：2.68147 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 16SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RQ4ML	文件：2.68147 Mbytes Page：39 Pages	4 M (512 K  8) Bit Quad SPI  DESCRIPTION MB85RQ4ML is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 524,288 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RQ4ML adopts the Quad Serial Peripheral Interface 文件：2.68147 Mbytes 页数：39 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RQ4MLPF-G	文件：360.43 Kbytes Page：30 Pages	4 M (512 K 횞 8) Bit Quad SPI 文件：360.43 Kbytes 页数：30 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu

产品属性

产品编号：
MB85RQ4MLPF-G-BCERE1
制造商：
Kaga FEI America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOP
描述：
IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 16SOP

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