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MB85RC16PNF-G-AME2	文件：2.21136 Mbytes Page：35 Pages	16 K (2 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC16 is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC16 is able to retain data wit 文件：2.21136 Mbytes 页数：35 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC16PNF-G-AMERE2	文件：2.21136 Mbytes Page：35 Pages	16 K (2 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC16 is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC16 is able to retain data wit 文件：2.21136 Mbytes 页数：35 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC16PNF-G-JNE1	文件：2.21136 Mbytes Page：35 Pages	16 K (2 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC16 is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC16 is able to retain data wit 文件：2.21136 Mbytes 页数：35 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：2.21136 Mbytes Page：35 Pages	16 K (2 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC16 is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC16 is able to retain data wit 文件：2.21136 Mbytes 页数：35 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC16PN-G-AMERE1	文件：2.21136 Mbytes Page：35 Pages	16 K (2 K x 8) Bit I2C  DESCRIPTION The MB85RC16 is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. Unlike SRAM, the MB85RC16 is able to retain data wit 文件：2.21136 Mbytes 页数：35 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RC16PNF-G-JNE1	文件：138.42 Kbytes Page：20 Pages	Memory FRAM 16 K (2 K x 8) Bit I2C 文件：138.42 Kbytes 页数：20 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：138.42 Kbytes Page：20 Pages	Memory FRAM 16 K (2 K x 8) Bit I2C 文件：138.42 Kbytes 页数：20 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85RC16PNF-G-JNE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RC16PN-G-AMERE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-WFDFN 裸露焊盘；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SON	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.

产品属性

产品编号：
MB85RC16PN-G-AMERE1
制造商：
Kaga FEI America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
I²C
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SON（2x3）
描述：
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SON

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