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MB85R8M2TAFN-G-JAE2	文件：1.39008 Mbytes Page：30 Pages	8 M (512 K × 16) Bit DESCRIPTIONS The MB85R8M2TA is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip consisting of 524,288 words × 16 bits of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R8M2TA is able to retain data without using a back-up bat 文件：1.39008 Mbytes 页数：30 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85R8M2TAFN-G-JAE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：8MBIT FRAM (512K X16) PARALLEL I	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	Fujitsu 富士通上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	Fujitsu
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	FUJITSU/富士通上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	FUJITSU/富士通
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	FUJITSU富士通上传：深圳市喜鹊微科技有限公司	FUJITSU富士通

产品属性

产品编号：
MB85R8M2TAFN-G-JAE2
制造商：
Kaga FEI America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
120ns
电压 - 供电：
1.8V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP
描述：
8MBIT FRAM (512K X16) PARALLEL I

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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