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MB84VD2003	文件：423.39 Kbytes Page：30 Pages	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM ■ FEATURES • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –20 to +85°C — FLASH MEMORY • Simultaneous operations Read-while Erase or Read-while-Program • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture 文件：423.39 Kbytes 页数：30 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB84VD2003-10	文件：423.39 Kbytes Page：30 Pages	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM ■ FEATURES • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –20 to +85°C — FLASH MEMORY • Simultaneous operations Read-while Erase or Read-while-Program • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture 文件：423.39 Kbytes 页数：30 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85R1001ANC-GE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	FUJITSU/富士通 TSOP-28	FUJITSU/富士通上传：京海半导体(深圳)有限公司	FUJITSU/富士通
MB85R256FPNF-G-JNERE2	文件：0 bytes Page：0 Pages	FUJITSU/富士通 SOP28	FUJITSU/富士通上传：深圳市俊晖半导体有限公司	FUJITSU/富士通
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	FUJITSU SOP8	Fujitsu 富士通上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	Fujitsu

更多MB84VD2003供应商更新时间2025-10-13 14:02:00