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MB85R1001ANC-GE1

1 M Bit (128 K x 8)

DESCRIPTIONS The MB85R1001A is an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip consisting of 131,072 words  8 bits of nonvolatile memory cells fabricated using ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies. The MB85R1001A is able to retain data without using a back-up ba

文件:1.84156 Mbytes 页数:22 Pages

RAMXEED

富士通

MB85R1001ANC-GE1

1 M Bit (128 K 횞 8)

文件:142.47 Kbytes 页数:16 Pages

Fujitsu

富士通

MB85R1001ANC-GE1

Package:48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FRAM 1MBIT PARALLEL 48TSOP

Kaga FEI America, Inc.

Kaga FEI America, Inc.

MB85R1001ANC-GE1

TSOP-28

FUJITSU/富士通

上传:京海半导体(深圳)有限公司

FUJITSU/富士通

MB85R256FPNF-G-JNERE2

SOP28

FUJITSU/富士通

上传:深圳市俊晖半导体有限公司

FUJITSU/富士通

产品属性

  • 产品编号:

    MB85R1001ANC-GE1

  • 制造商:

    Kaga FEI America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    FRAM

  • 技术:

    FRAM(铁电体 RAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    150ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.488",12.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FRAM 1MBIT PARALLEL 48TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MB85R1001ANC-GE1供应商 更新时间2025-12-24 10:23:00