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MB84VD2003-10	文件：423.39 Kbytes Page：30 Pages	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM ■ FEATURES • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –20 to +85°C — FLASH MEMORY • Simultaneous operations Read-while Erase or Read-while-Program • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture 文件：423.39 Kbytes 页数：30 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85R1001ANC-GE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-28	FUJITSU/富士通上传：京海半导体(深圳)有限公司	FUJITSU/富士通
MB85R256FPNF-G-JNERE2	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP28	FUJITSU/富士通上传：深圳市俊晖半导体有限公司	FUJITSU/富士通
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	Fujitsu 富士通上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	Fujitsu
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP8	FUJITSU/富士通上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	FUJITSU/富士通

详细参数

型号：
MB84VD2003-10
制造商：
FUJITSU
制造商全称：
Fujitsu Component Limited.
功能描述：
8M(x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M(x 8) STATIC RAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	MB84VD200910PB	FUJISU	25+	BGA	2789	原装优势!绝对公司现货!	询价
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