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MB84VB2001	文件：314.39 Kbytes Page：28 Pages	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY ■ FEATURES • Contain 2 chips of MBM29LV800A, and each chip have separate CE. • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –40 to +85°C • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture One 16 K byte 文件：314.39 Kbytes 页数：28 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB84VB2001-10	文件：314.39 Kbytes Page：28 Pages	8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY ■ FEATURES • Contain 2 chips of MBM29LV800A, and each chip have separate CE. • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –40 to +85°C • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture One 16 K byte 文件：314.39 Kbytes 页数：28 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85R1001ANC-GE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	FUJITSU/富士通 TSOP-28	FUJITSU/富士通上传：京海半导体(深圳)有限公司	FUJITSU/富士通
MB85R256FPNF-G-JNERE2	文件：0 bytes Page：0 Pages	FUJITSU/富士通 SOP28	FUJITSU/富士通上传：深圳市俊晖半导体有限公司	FUJITSU/富士通
MB85RC16PNF-G-JNERE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	FUJITSU SOP8	Fujitsu 富士通上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	Fujitsu

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