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MB84VA2104	文件：401.25 Kbytes Page：29 Pages	16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM ■ FEATURES • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –20 to +85°C — FLASH MEMORY • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture One 16 K byte, 文件：401.25 Kbytes 页数：29 Pages	FUJITSU 富士通	FUJITSU
MB84VA2104-10	文件：401.25 Kbytes Page：29 Pages	16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM ■ FEATURES • Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V • High performance 100 ns maximum access time • Operating Temperature –20 to +85°C — FLASH MEMORY • Minimum 100,000 write/erase cycles • Sector erase architecture One 16 K byte, 文件：401.25 Kbytes 页数：29 Pages	FUJITSU 富士通	FUJITSU
MB84VA2104-10	文件：300 bytes Page：1 Pages	16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85R1001ANC-GE1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-28	FUJITSU/富士通上传：京海半导体(深圳)有限公司	FUJITSU/富士通
MB85R256FPNF-G-JNERE2	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP28	FUJITSU/富士通上传：深圳市俊晖半导体有限公司	FUJITSU/富士通

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