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9250A	文件：248.87 Kbytes Page：2 Pages	MoldedAxialInductor	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AD9250	文件：1.44605 Mbytes Page：45 Pages	DualAnalog-to-DigitalConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD9250	文件：1.18143 Mbytes Page：44 Pages	14-Bit,170MSPS/250MSPS,JESD204B,DualAnalog-to-DigitalConverter GENERALDESCRIPTION TheAD9250isadual,14-bitADCwithsamplingspeedsofupto250MSPS.TheAD9250isdesignedtosupportcommunicationsapplicationswherelowcost,smallsize,widebandwidth,andversatilityaredesired. FEATURES JESD204BSubclass0orSubclass1codedserialdigital	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AH9250	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH9250-P-B	文件：450.32 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYMICROPOWEROMNIPOLARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
APDS-9250	文件：522.65 Kbytes Page：21 Pages	DigitalRGB,IRandAmbientLightSensor	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BXO9250	文件：47.02 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledOscillator	APITECH API Technologies Corp	APITECH
FRF9250D	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250H	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRF9250R	文件：48.02 Kbytes Page：6 Pages	14A,-200V,0.315Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250D	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250H	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FRM9250R	文件：50.25 Kbytes Page：6 Pages	16A,-200V,0.300Ohm,RadHard,P-ChannelPowerMOSFETs Description IntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250D	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSF9250R	文件：45.16 Kbytes Page：8 Pages	15A,-200V,0.290Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
GBS-9250G	文件：84.56 Kbytes Page：4 Pages	5V/1550nm/2.5Gb/sSignle-ModeGigabitInterfaceConverter(GBIC)	OPTOWAYOptoway Technology Inc 奥普薇科技奥普薇科技股份有限公司	OPTOWAY
IRH9250	文件：163.81 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.315ohm,Id=-14A) InternationalRectifier’sRADHardHEXFET®technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffects	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRH9250	文件：180.35 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRHM9250	文件：173.4 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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