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FDD8896	文件：345.25 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesigned specificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/ DCconvertersusingeithersynchronousor conventionalswitchingPWMcontrollers.Ithas beenoptimizedforlowgatecharge,lowrDS(ON)and fastswitchingspeed. Features VDS(V)=	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDD8896	文件：651.96 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features VDS(V)=30V ID=35A(VGS=10V) RDS(ON)=5.7mW(VGS=10V) RDS(ON)=6.8mW(VGS=4.5V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDD8896	文件：353.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=94A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8896-TP	文件：2.88654 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features\| +30V,90A Rosin3.88m0@Vas=10V(Typ) +AdvancedTrenchTechnology «ProvideExcellentRosowandLowGateCharge +Leadfreeproductisacquired\|	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDP8896	文件：328.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8896	文件：474.77 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET30V,92A,5.9m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP8896	文件：266.38 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,92A,5.9m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
MAX8896EVKIT+
功能描述：
直流/直流开关转换器 Dual PWM Step-Down Converter in a 2mm x 2mm Package for WCDMA PA and RF Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
最大输入电压：
4.5 V
开关频率：
1.5 MHz
输出电压：
4.6 V
输出电流：
250 mA
输出端数量：
2
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT

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