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MAX8896EREE+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：16-WFBGA，CSPBGA 类别：集成电路（IC）线性稳压器控制器描述：IC INTEGRATED CIRCUIT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX8896EREE+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：16-WFBGA，CSPBGA 类别：集成电路（IC）稳压器 - 线性 + 开关描述：IC INTEGRATED CIRCUIT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX8896EREE+T	文件：452.7 Kbytes Page：17 Pages	Dual PWM Step-Down Converter in a 2mm x 2mm Package for WCDMA PA and RF Power	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX8896EREE+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：16-WFBGA，CSPBGA 类别：集成电路（IC）线性稳压器控制器描述：IC REG TRPL BUCK/LNR SYNC 16UCSP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
8896	文件：547.22 Kbytes Page：3 Pages	3M??Scotch짰StrappingTape8896	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
8896	文件：223.92 Kbytes Page：1 Pages	ANTI-STATICICTRAYCLIP	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
ACT8896	文件：88.35 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedPMUforSamsungS3C6410 GENERALDESCRIPTION TheACT8896isacomplete,costeffective,highly-efficientActivePMUTMpowermanagementsolution,optimizedfortheuniquepower,voltage-sequencing,andcontrolrequirementsoftheSamsungS3C6410processor. FEATURES •OptimizedforSamsungS3C6410Processor •Three	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
FDB8896	文件：553.45 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8896	文件：269.73 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET30V,93A,5.7mohm	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8896	文件：331.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=93A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8896	文件：353.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=94A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8896	文件：651.96 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features VDS(V)=30V ID=35A(VGS=10V) RDS(ON)=5.7mW(VGS=10V) RDS(ON)=6.8mW(VGS=4.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
FDD8896	文件：1.01141 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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产品属性

产品编号：
MAX8896EREE+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 线性稳压器控制器
包装：
管件
拓扑：
降压同步（2），线性（LDO）（1）
频率 - 开关：
2MHz
电压/电流 - 输出 1：
0.2V ~ 1.7V，700mA
电压/电流 - 输出 2：
3.1V，200mA
电压/电流 - 输出 3：
2.8V，200mA
带 LED 驱动器：
无
带监控器：
无
带定序器：
无
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-WFBGA，CSPBGA
供应商器件封装：
16-UCSP（2.08x2.08）
描述：
IC INTEGRATED CIRCUIT

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