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MAX840C/D	文件：161.02 Kbytes Page：10 Pages	Low-Noise, Regulated, -2V GaAsFET Bias GeneralDescription TheMAX840/MAX843/MAX844low-noise,invertingcharge-pumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers.Theyoperatewithinputsdownto2.5V. Features ♦Fixed-2VorAdjustable-0.5Vto-9.4VOutputat4mA(MAX840) ♦2.5Vto10	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX840CSLASHD	文件：161.02 Kbytes Page：10 Pages	Low-Noise,Regulated,-2VGaAsFETBias GeneralDescription TheMAX840/MAX843/MAX844low-noise,invertingcharge-pumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers.Theyoperatewithinputsdownto2.5V. Features ♦Fixed-2VorAdjustable-0.5Vto-9.4VOutputat4mA(MAX840) ♦2.5Vto10	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX840ESA	文件：161.02 Kbytes Page：10 Pages	Low-Noise,Regulated,-2VGaAsFETBias GeneralDescription TheMAX840/MAX843/MAX844low-noise,invertingcharge-pumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers.Theyoperatewithinputsdownto2.5V. Features ♦Fixed-2VorAdjustable-0.5Vto-9.4VOutputat4mA(MAX840) ♦2.5Vto10	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX840ISA	文件：161.02 Kbytes Page：10 Pages	Low-Noise,Regulated,-2VGaAsFETBias GeneralDescription TheMAX840/MAX843/MAX844low-noise,invertingcharge-pumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers.Theyoperatewithinputsdownto2.5V. Features ♦Fixed-2VorAdjustable-0.5Vto-9.4VOutputat4mA(MAX840) ♦2.5Vto10	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MBR840	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR840	文件：138.45 Kbytes Page：4 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinvert	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR840	文件：200.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR840	文件：106.87 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ●Guardringfortransientprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowVF ●Highsurgecapacity ●PlasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0 ●Foruseinlowvoltage,highfrequenc	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR840	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierReverseVoltage40to200VForwardCurrent8.0A ReverseVoltage40to200V ForwardCurrent8.0A Features •LowPowerLoss，HighEfficiency •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
MBR840	文件：84.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvol	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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