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MJ802	文件：112.18 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ802G	文件：76.07 Kbytes Page：4 Pages	High?뭁owerNPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ802G	文件：255.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=90V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.8V(Max)@IC=7.5A APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE802	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE802	文件：64.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE802andMJE803aresiliconepitaxial-baseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecSOT-32plasticpackage.Theyareintendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE802	文件：75.26 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■NPNDARLINGTON APPLICATIONS ■GENERALPURPOSESWITCHING DESCRIPTION TheMJE802isasiliconEpitaxial-BaseNPN transistorinmonolithicDarlingtonconfiguration, mountedinJedecSOT-32plasticpackage.Itis intendedforuseinmediumpower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE802	文件：103.05 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE802	文件：102.65 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
MAX802TCSA+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）
类型：
备用电池电路
电压 - 阈值：
3.075V
输出：
推挽式/图腾柱
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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