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MJE802分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJE802
厂商型号

MJE802

参数属性

MJE802 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32

功能描述

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

75.26 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 20:00:00

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MJE802规格书详情

MJE802属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的MJE802晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

■ STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■ NPN DARLINGTON

APPLICATIONS

■ GENERAL PURPOSE SWITCHING

DESCRIPTION

The MJE802 is a silicon Epitaxial-Base NPN

transistor in monolithic Darlington configuration,

mounted in Jedec SOT-32 plastic package. It is

intended for use in medium power linear and

switching applications.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJE802

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32

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