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MJ802	文件：42.92 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJ802	文件：76.82 Kbytes Page：2 Pages	High-PowerNPNSiliconTransistor High-PowerNPNSiliconTransistor Thistransistorisforuseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel. Features •HighDCCurrentGain-hFE=25-100IC=7.5A •ExcellentSafeOperatingArea •ComplementtothePNPMJ4502	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ802	文件：112.18 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJ802G	文件：76.07 Kbytes Page：4 Pages	High?뭁owerNPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ802G	文件：255.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=90V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.8V(Max)@IC=7.5A APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE802	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE802	文件：64.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE802andMJE803aresiliconepitaxial-baseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecSOT-32plasticpackage.Theyareintendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE802	文件：75.26 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■NPNDARLINGTON APPLICATIONS ■GENERALPURPOSESWITCHING DESCRIPTION TheMJE802isasiliconEpitaxial-BaseNPN transistorinmonolithicDarlingtonconfiguration, mountedinJedecSOT-32plasticpackage.Itis intendedforuseinmediumpower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
MAX802MCSA+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
备用电池电路
电压 - 阈值：
4.4V
输出：
推挽式/图腾柱
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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