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PD780	文件：711.01 Kbytes Page：24 Pages	HIGH·PERFORMANCECP/M®·COMPATIBLENMOS8·BITMICROPROCESSOR Features Powerful,wide-rangelogiccapabilityrequiring minimalsupportcircuitry FullyZ80®-compatible Industry-standard8080Asoftwarecompatibility CP/M@-compatible Comprehensive,powerfulinstructionsetfeaturing 158instructiontypes Vectored,multilevelinterruptstructure	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PD780C	文件：711.01 Kbytes Page：24 Pages	HIGH·PERFORMANCECP/M®·COMPATIBLENMOS8·BITMICROPROCESSOR Features Powerful,wide-rangelogiccapabilityrequiring minimalsupportcircuitry FullyZ80®-compatible Industry-standard8080Asoftwarecompatibility CP/M@-compatible Comprehensive,powerfulinstructionsetfeaturing 158instructiontypes Vectored,multilevelinterruptstructure	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PINA780AIDEKR	文件：1.41537 Mbytes Page：42 Pages	INA780x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:400μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±75A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±78.64A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PINA780AIDEKR	文件：2.62678 Mbytes Page：51 Pages	INA780x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:400μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±75A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±78.64A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±12.5mA/±125mA –Offsetdrift:±50μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PINA780BIDEKR	文件：1.41537 Mbytes Page：42 Pages	INA780x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:400μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±75A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±78.64A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PINA780BIDEKR	文件：2.62678 Mbytes Page：51 Pages	INA780x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:400μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±75A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±78.64A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±12.5mA/±125mA –Offsetdrift:±50μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PMF780SN	文件：90.43 Kbytes Page：12 Pages	N-channeluTrenchMOSstandardlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMF780SN	文件：1.01313 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PMF780SN	文件：208.79 Kbytes Page：13 Pages	N-channelmTrenchMOS™standardlevelFET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenFastswitching. nDrivercircuitsnSwitchinginportabl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMGD780SN	文件：94.34 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channelmTrenchMOSstandardlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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