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MBR745	文件：225.61 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR745	文件：169.96 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •150°CTJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability •This	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBR745	文件：186.04 Kbytes Page：2 Pages	7.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
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MBR745	文件：478.44 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolar	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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MBR745	文件：245.45 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,7.5A	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
MBR745	文件：987.52 Kbytes Page：2 Pages	PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,hi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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