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MJE700G	文件：140.21 Kbytes Page：6 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE700T	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE700T	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE700T	文件：194.68 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) PLASTICDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. FEATURES HighDCCurrentGain—hFE=2000(Typ)@IC=2.0A MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakageMultiplicat	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJE700T	文件：250.87 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterBreakdownVoltage—:V(BR)CEO=-60V •DCCurrentGain—:hFE=750(Min)@IC=-1.5A •ComplementtoTypeMJE800T APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE700T	文件：81.9 Kbytes Page：2 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJS700	文件：89.01 Kbytes Page：2 Pages	LightningSurgeWithstandFuse	bel Bel Fuse Inc.	bel
MJS700-R	文件：1.44605 Mbytes Page：4 Pages	TYPEMJSLIGHTNINGSURGEWITHSTANDFUSE	bel Bel Fuse Inc.	bel
MLL700	文件：102.91 Kbytes Page：2 Pages	2.4Vto110VMLLZENERDIODES(1/2Watt)	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
MLPV700	文件：268.78 Kbytes Page：2 Pages	Low-ProfileAntennas-MLPVSeries Features •Attractive,low-profiledesignformaximumoverheadclearance •Industryleadingwidebandperformanceprovidesoutstandingcoverageacross multiplefrequencybandswithnotuningrequired •Wideband,multi-band,andnogroundplanemodelsavailable •“Easygrip”HDmodelsavailable	PCTEL PCTEL, Inc	PCTEL

产品属性

产品编号：
MAX700CSA+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）带
类型：
简单复位/加电复位
电压 - 阈值：
可调节/可选择
输出：
推挽式，推挽式
复位：
高有效/低有效
复位超时：
最小为 200ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

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