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MPS6602	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS6602	文件：30.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR) AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCES=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS6602	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS6602G	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MPS6602RLRAG	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE6602	文件：2.067949 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6602	文件：476.38 Kbytes Page：11 Pages	NCENandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6602A	文件：597.47 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX6602UE9A+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - 模拟和数字输出
包装：
管件
传感器类型：
数字，本地/远程
感应温度 - 本地：
-40°C ~ 125°C
感应温度 - 远程：
-40°C ~ 125°C
输出类型：
SMBus
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
分辨率：
11 b（本地），8 b（远程）
特性：
输出开关，可编程极限，关断模式，待机模式
精度 - 最高（最低）：
-3.3°C，0.7°C（-5°C，1°C）
测试条件：
60°C ~ 100°C（0°C ~ 125°C）
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-TSSOP（0.173"，
描述：
SENSOR DIGITAL -40C-125C 16TSSOP

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