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PVC6012	文件：289.14 Kbytes Page：6 Pages	PolyesterandPolypropyleneFilm/FoilCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
PVX6012	文件：88.87 Kbytes Page：4 Pages	IGBTPhotovoltaicRelay GeneralDescription ThePVX6012PhotovoltaicRelayisasingle-pole,normallyopensolid-staterelaythatcanreplaceelectromechanicalrelaysinmanyapplications.ItutilizesanIGBToutputswitch,drivenbyanintegratedcircuitphotovoltaicgeneratorofnovelconstruction.Theoutputswitchi	IRF International Rectifier	IRF
PVX6012PBF	文件：218.54 Kbytes Page：5 Pages	Highloadcurrentcapacity	IRF International Rectifier	IRF
PVX6012PBF	文件：1.72204 Mbytes Page：4 Pages	IGBTPhotovoltaicRelaySinglePole,NormallyOpen,0-280VAC(RMS)or0-400VDC,1.0AAC/DC GeneralDescription ThePVX6012PhotovoltaicRelayisasingle-pole,normallyopensolid-staterelaythatcanreplaceelectromechanicalrelaysinmanyapplications.ItutilizesanIGBToutputswitch,drivenbyanintegratedcircuitphotovoltaicgeneratorofnovelconstruction.Theoutputswitchi	IRF International Rectifier	IRF
PWR6012	文件：149.99 Kbytes Page：4 Pages	1.8WATTUNREGULATEDDC/DCCONVERTER DESCRIPTION ThePWR60XXSeriesoffersalow-costalternativeforsomeofthemostpopularDC/DCconvertersindustrywide.Each modelhasverylownoiseandanoutstandingMTTF.Thesuperiorreliability,excellentfiltering,andlowcostmakeitan excellentchoiceforindustry-standardus	CANDD C&D Technologies	CANDD
PWR6012	文件：123.01 Kbytes Page：4 Pages	1.8WATTREGULATEDDC/DCCONVERTER DESCRIPTION ThePWR60XXSeriesoffersalow-costalternativeforsomeofthemostpopularDC/DCconvertersindustrywide.EachmodelhasverylownoiseandanoutstandingMTTF.Thesuperiorreliability,excellentfiltering,andlowcostmakeitanexcellentchoiceforindustry-standardusage.	MURATA-PSMurata Power Solutions Inc. 村田村田制作所	MURATA-PS
R6012ANJ	文件：327.78 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy Applications Switching Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012ANJTL	文件：1.03798 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6012ANX	文件：307.01 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6012ANX	文件：1.031079 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V12APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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产品属性

产品编号：
MAX6012BEUR-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
1.247V
容差：
±0.48%
温度系数：
30ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
12µVp-p
噪声 - 10Hz 至 10Hz：
65µVrms
电压 - 输入：
2.5V ~ 12.6V
电流 - 供电：
35µA
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
IC VREF SERIES 0.48% SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	MAX6012BEUR-T	MAXIM	19+	SOT23-3	18185		询价
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