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MIR521	文件：236.06 Kbytes Page：6 Pages	2W,Ultra-HighIsolationDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MIR521	文件：433.31 Kbytes Page：6 Pages	2WattsHighIn/OutIsolationDIPDC/DCConvertersSingleandDualOutputs	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE521isasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorinJedecSOT-32plasticpackage. Itisintendedforusein5to20Waudioamplifiers,generalpurposeamplifierandswitchingcircuits. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON40VOLTS40WATTS PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc •Complementaryto	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE521	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=40V(Min) •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=1A •ComplementtoTypeMJE371 APPLICATIONS •Designedforuseingeneral−purposeamplifierand switchingcircuitsapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDT521DW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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产品属性

产品编号：
MAX521AEWG+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
管件
位数：
8
数模转换器数：
8
建立时间：
6µs（标准）
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
I²C
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
5V
电压 - 供电，数字：
5V
INL/DNL (LSB)：
±1.5（最大），±1（最大）
架构：
R-2R
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
24-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC DAC 8BIT V-OUT 24SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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