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MAX521BMJP	文件：274.75 Kbytes Page：20 Pages	Quad/Octal,2-WireSerial8-BitDACswithRail-to-RailOutputs GeneralDescription TheMAX520/MAX521arequad/octal,8-bitvoltage-outputdigital-to-analogconverters(DACs)withsimple2-wireserialinterfacesthatallowcommunicationbetweenmultipledevices.Theyoperatefromasingle+5Vsupplyandtheirreferenceinputrangeincludesbothsupplyrails.	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MIR521	文件：433.31 Kbytes Page：6 Pages	2WattsHighIn/OutIsolationDIPDC/DCConvertersSingleandDualOutputs	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIR521	文件：236.06 Kbytes Page：6 Pages	2W,Ultra-HighIsolationDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MJE521	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE521isasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorinJedecSOT-32plasticpackage. Itisintendedforusein5to20Waudioamplifiers,generalpurposeamplifierandswitchingcircuits. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON40VOLTS40WATTS PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc •Complementaryto	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=40V(Min) •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=1A •ComplementtoTypeMJE371 APPLICATIONS •Designedforuseingeneral−purposeamplifierand switchingcircuitsapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX521BEWG-T
功能描述：
数模转换器- DAC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换器数量：
1 DAC
输出端数量：
1
转换速率：
2 MSPs
分辨率：
16 bit
接口类型：
QSPI, SPI, Serial(3-Wire, Microwire)
稳定时间：
1 us
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-14
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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