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SIA519	文件：3.86475 Mbytes Page：12 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •NewThermallyEnhancedPowerPAK® SC-70Package -SmallFootprintArea -LowOn-Resistance •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
SIA519EDJ	文件：320.31 Kbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETs •TypicalESDProtection:N-Channel2000V P-Channel1000V •100RgTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA519EDJ	文件：275.7 Kbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STBS519	文件：54.31 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS519	文件：80.08 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS519	文件：33.9 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR 500Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SUR519J	文件：226.36 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Description •Dualchipdigitaltransistor Features •TwoSRC1207chipsinSOT-363package •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	AUK AUK corp	AUK
SUR519J	文件：281.19 Kbytes Page：5 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Description •Dualchipdigitaltransistor Features •TwoSRC1207chipsinSOT-363package •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

产品属性

产品编号：
MAX519BCSE+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 数模转换器（DAC）
包装：
卷带（TR）
位数：
8
数模转换器数：
2
建立时间：
6µs（标准）
输出类型：
Voltage - Buffered
差分输出：
无
数据接口：
I²C
参考类型：
外部
电压 - 供电，模拟：
5V
电压 - 供电，数字：
5V
INL/DNL (LSB)：
±1.5（最大），±1（最大）
架构：
R-2R
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
安装类型：
表面贴装型
描述：
IC DAC 8BIT V-OUT 16SOIC

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