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SFH-4542	文件：261.29 Kbytes Page：10 Pages	HighPowerInfraredEmitter(940nm)inSMR짰Package	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4542-BWCW	文件：1.16662 Mbytes Page：17 Pages	HighPowerInfraredEmitter(940nm)inSMR®Package Features -Package:blackepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -HighPowerInfraredLED -SMR®(SurfaceMountRadial)package -SamepackageasphotodiodeSFH2500 -Shortswitchingtimes	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
SFH4542-Z	文件：1.16662 Mbytes Page：17 Pages	HighPowerInfraredEmitter(940nm)inSMR®Package Features -Package:blackepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -HighPowerInfraredLED -SMR®(SurfaceMountRadial)package -SamepackageasphotodiodeSFH2500 -Shortswitchingtimes	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
SI4542	文件：56.76 Kbytes Page：4 Pages	30VComplementaryPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThiscomplementaryMOSFETdeviceisproducedusingFairchild’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •Q1:N-Channel 6A,30VRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI4542D	文件：56.76 Kbytes Page：4 Pages	30VComplementaryPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThiscomplementaryMOSFETdeviceisproducedusingFairchild’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •Q1:N-Channel 6A,30VRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI4542DY	文件：56.76 Kbytes Page：4 Pages	30VComplementaryPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThiscomplementaryMOSFETdeviceisproducedusingFairchild’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •Q1:N-Channel 6A,30VRDS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI4542DY	文件：120.52 Kbytes Page：7 Pages	N-andP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4542DY	文件：121.46 Kbytes Page：7 Pages	N-andP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SSG4542C	文件：1.1981 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSG4542C	文件：941.58 Kbytes Page：6 Pages	N&P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
MAX4542EUA-T
功能描述：
模拟开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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