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ARX4435N-FP	文件：153.32 Kbytes Page：6 Pages	ARX4435NTransceiverforMacairH009Specification GeneralDescription TheAeroflexLaboratoriesIncorporatedmodelARX4435NandARX4435NFParenewgenerationmonolithictransceiverswhichprovidescompliancewithMacairH009databusrequirements. TheARX4435NandARX4435NFPperformthefront-endanalogfunctionofinputtingandoutputtingdata	AEROFLEXCobham Corporate 艾法斯	AEROFLEX
BL-C4435	文件：508.36 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-C4435	文件：136.56 Kbytes Page：2 Pages	LEDGaAsP/GaPHi-EffRedLowpowerconsumption.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BL-C4435	文件：400.53 Kbytes Page：5 Pages	STANDARDLEDLAMPS(CYLINDRICALTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BLM4435	文件：283.3 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
CEM4435	文件：500.86 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=35mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4435A	文件：1.29267 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM4435A	文件：106.95 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-8A,RDS(ON)=20mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=33mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4435A	文件：1.00479 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEM4435A	文件：527.4 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-8A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. RDS(ON)=33mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CET4435A	文件：893.3 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-8.8A,RDS(ON)=24mW@VGS=-10V. RDS(ON)=35mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CET4435A	文件：1.00549 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CET4435A	文件：148.76 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-8.8A,RDS(ON)=24mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=35mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM4435AJPT	文件：313.36 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHM4435AZPT	文件：199.56 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT8.8Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-73/SOT-223) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJD4435	文件：410.19 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJD4435	文件：1.14347 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJQ4435	文件：1.29304 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJQ4435	文件：1.8626 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJQ4435	文件：838.37 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI

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详细参数

型号：
MAX4435
功能描述：
高速运算放大器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MAX4435供应商更新时间2024-6-3 9:00:00

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