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MKT366	文件：295.55 Kbytes Page：8 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitorsMKTRadialEpoxyLacqueredType	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MKT366	文件：294.76 Kbytes Page：8 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitorsMKTRadialEpoxyLacqueredType	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MKT366	文件：181 Kbytes Page：30 Pages	Metallizedpolyesterfilmcapacitors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
MV366TCN	文件：267.54 Kbytes Page：2 Pages	5x7mm,3.3or5.0Volt,HCMOS,VCXO	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
MV366TGN	文件：267.54 Kbytes Page：2 Pages	5x7mm,3.3or5.0Volt,HCMOS,VCXO	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
MV366VCN	文件：267.54 Kbytes Page：2 Pages	5x7mm,3.3or5.0Volt,HCMOS,VCXO	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
MV366VGN	文件：267.54 Kbytes Page：2 Pages	5x7mm,3.3or5.0Volt,HCMOS,VCXO	MTRONPTI mtronpti	MTRONPTI
NGRUS366	文件：1.14916 Mbytes Page：9 Pages	NeutralGroundingResistorSystem,NGRSERIES–US Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NLVHCT366ADTRG	文件：131.33 Kbytes Page：7 Pages	Hex3-StateInvertingBuffer	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE366	文件：22.05 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorRFPowerOutputPO=25W@512MHz Description: TheNTE366isasiliconNPNtransistordesignedfor12.5VoltUHFlarge–signalamplifierapplicationsinindustrialandcommercialFMequipmentoperatingto512MHz. Features: ●Specified12.5Volt,470MHzCharacteristic: OutputPower=25Watts MinimumGain=6.2dB E	NTE NTE Electronics	NTE

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