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RU3205R	文件：451.44 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
S3205QA	文件：336.16 Kbytes Page：27 Pages	21/32/43/60VOICEROM Description TheMSS6605isasingle-chipCMOSVLSIROMthatcanmemorizevoiceupto60secondsusingMOSELqualifiedcodingmethod(MPCM)at5.8KHz. Threeaddressinginterfacesareprovided:CPUmode,KEYBOARDmodeandMATRIXmodeforversatileapplications.Thevoicecontentcanbestoredsep	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽电子台湾茂矽电子股份有限公司	MOSEL
S3205QE	文件：336.16 Kbytes Page：27 Pages	21/32/43/60VOICEROM Description TheMSS6605isasingle-chipCMOSVLSIROMthatcanmemorizevoiceupto60secondsusingMOSELqualifiedcodingmethod(MPCM)at5.8KHz. Threeaddressinginterfacesareprovided:CPUmode,KEYBOARDmodeandMATRIXmodeforversatileapplications.Thevoicecontentcanbestoredsep	MOSELMOSEL VETELIC INC. 茂矽电子台湾茂矽电子股份有限公司	MOSEL
SE3205	文件：258.12 Kbytes Page：1 Pages	CYLINDER kHzRANGECRYSTALUNITCYLINDER C-TYPE C-2-TYPE/C-4-TYPE •Frequencyrange:32.768kHz(20kHzto307.2kHz) •Thickness:φ1.2mmtoφ3.1mm •Overtoneorder:Fundamental/Overtone(192kHz,307.2kHz) •Applications:ClockandMicrocomputer	EPSONTOYOCOMEpson ToYoCom 爱普生爱普生拓优科梦	EPSONTOYOCOM
SP3205	文件：639.68 Kbytes Page：5 Pages	LowCapacitanceESDProtection Description TheSP3205provideslowcapacitance,unidirectionalandahigh levelofprotectionforelectronicequipmentthatmayexperience destructiveelectrostaticdischarges(ESD).Thetypicalcapacitance of0.3pFhelpsensureexcellentsignalintegrityonthemost challengingconsumerele	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
SP-3205	文件：343.38 Kbytes Page：5 Pages	DynamicSpeaker	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
SPM3205	文件：16.76 Kbytes Page：3 Pages	SPDTSwitch FeaturesandApplications •Controlvoltage+3/0V. •CPpackage.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SVD3205F	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD3205S	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD3205STR	文件：248.07 Kbytes Page：8 Pages	110A,55VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION SVD3205T/F/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryflat low-voltagestructureVDMOStechnology.Theimprovedprocessand cellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimizeon-state resistance,providesup	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

详细参数

型号：
MAX3205EATE-T
功能描述：
TVS二极管阵列
RoHS：
否
制造商：
Littelfuse
通道：
4 Channels
钳位电压：
11.5 V
工作电压：
2.5 V
峰值浪涌电流：
20 A
安装风格：
SMD/SMT
端接类型：
SMD/SMT
最小工作温度：
- 40 C
最大工作温度：
+ 85 C

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