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RF3166DSB	文件：230.29 Kbytes Page：12 Pages	DUAL-BANDGSM900/DCSPOWERAMPMODULE ProductDescription TheRF3166isahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermodulewithintegratedpowercontrolthatprovidesover50dBofcontrolrange.Thedeviceisaself-contained6mmx6mmmodulewith50Ωinputandoutputterminals.ThedeviceisdesignedforuseasthefinalRFamplifie	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3166SB	文件：239.63 Kbytes Page：14 Pages	QUAD-BANDGSM850/GSM900/DCS/PCSPOWERAMPMODULE ProductDescription TheRF3166isahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermodulewithintegratedpowercontrolthatprovidesover50dBofcontrolrange.Thedeviceisaself-contained6mmx6mmmodulewith50Ωinputandoutputterminals.ThedeviceisdesignedforuseasthefinalRFamplifie	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF3166SB	文件：390.07 Kbytes Page：16 Pages	QUAD-BANDGSM850/GSM900/DCS/PCSPOWERAMPMODULE	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM3166Z	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM-3166Z	文件：355.69 Kbytes Page：9 Pages	3.3-3.6GHz2WPowerAmplifier ProductDescription SirenzaMicrodevices’SZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwith	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SZM-3166Z	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM3166ZSQ	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SZM3166ZSR	文件：331.05 Kbytes Page：12 Pages	3.3GHzto3.6GHz2WPOWERAMPLIFIER ProductDescription RFMD’sSZM-3166ZisahighlinearityclassABHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticQ-FlexNmulti-chipmodulepackage.ThisHBTamplifierismadewithInGaPonGaAsdevicetechnologyandfabricatedwithMOCVDforanid	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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