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MJE3055T	文件：61.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES DESCRIPTION TheMJE3055TisasiliconEpitaxial-BaseNPN transistorinJedecTO-220package.Itis intendedforpowerswitchingcircuitsand general-purposeamplifiers.Thecomplementary PNPtypeisMJE2955T.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE3055T	文件：42.73 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGETRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMJE3055Tisdesignedforgeneralpurposeofamplifierandswitchingapplications.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MJE3055T	文件：196.12 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MJE3055T	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-PowerTransistorsandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MJE3055T	文件：143.95 Kbytes Page：4 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors 10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS−75WATTS MJE2955T(PNP) MJE3055T(NPN) Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingapplications. Features •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentGain−BandwidthProduct−fT=2.0MHz(Min	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE3055T	文件：93.11 Kbytes Page：1 Pages	ComplementarySiliconPowerTtransistors DESCRIPTION Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJE3055T	文件：65.19 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE3055T	文件：107 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) ·HighDCCurrentGain-:hFE=20-100@IC=4A ·ComplementtoTypeMJE2955T APPLICATIONS ·Designedforuseingeneral-purposeamplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE3055T	文件：121.52 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220package ·ComplementtotypeMJE2955T ·DCcurrentgain-hFE=20–70@IC=4Adc ·Collector–emittersaturationvoltage-VCE(sat)=1.1Vdc(Max)@IC=4Adc APPLICATIONS ·Designedforgeneral–purpose switchingandamplifierapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE3055T	文件：939.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features LargeDCcurrent(IC=10A),highfT(fT≥2Mhz). Applications Generalpurposeandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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产品属性

产品编号：
MAX3055ASD-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 驱动器，接收器，收发器
包装：
卷带（TR）
类型：
收发器
协议：
CANbus
驱动器/接收器数：
1/1
双工：
完全版
数据速率：
125kbps
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

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