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MJE3055T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJE3055T
厂商型号

MJE3055T

参数属性

MJE3055T 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A TO220

功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TRANS NPN 60V 10A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

143.95 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 8:02:00

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MJE3055T规格书详情

MJE3055T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJE3055T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS −75 WATTS

MJE2955T (PNP)

MJE3055T (NPN)

These devices are designed for use in general−purpose amplifier and switching applications.

特性 Features

• DC Current Gain Specified to 10 A

• High Current Gain −Bandwidth Product −fT= 2.0 MHz (Min) @ IC= 500 mAdc

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJE3055T

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    700µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
25
TO-220-3
6000
原装正品
询价
UTC/友顺
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ST/意法半导体
22+
TO-220-3
6006
原装正品现货 可开增值税发票
询价
STM
24+
原厂封装
1900
原装现货假一罚十
询价
ST
18+
TO220
12500
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配
询价
2000
45
询价
ST
25+
TO-220
16900
原装,请咨询
询价
UTC
2024+
TO220
500000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
ST(意法半导体)
24+
TO-220
942
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ST/意法
25+
TO-220
32000
ST/意法全新特价MJE3055T即刻询购立享优惠#长期有货
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