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MSP2321	文件：388.21 Kbytes Page：6 Pages	-20V(D-S)P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MXG2321	文件：51.72 Kbytes Page：1 Pages	3-axisdigitalcompassIC	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NCE2321	文件：329.73 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2321	文件：483.71 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE2321A	文件：359.11 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NTE2321	文件：22.72 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorQuad,GeneralPurpose SiliconNPNTransistorQuad,GeneralPurpose	NTE NTE Electronics	NTE
PAM2321	文件：525.25 Kbytes Page：11 Pages	3MHz,FastTransient2AStep-DownConverter	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM2321	文件：360.37 Kbytes Page：11 Pages	FASTTRANSIENT2ASTEP-DOWNCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PAM2321AYMADJ	文件：360.37 Kbytes Page：11 Pages	FASTTRANSIENT2ASTEP-DOWNCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PB-CMM2321-AK	文件：279.64 Kbytes Page：5 Pages	2.4to2.5GHz1WattPowerAmplifier GeneralDescription TheCMM2321isapoweramplifierintendedforusein2.4GHzISMbandapplicationssuchaswirelessdatacomequipment,wirelessbarcodescannersandinter-buildingcampusnetworks.Thisflexibleamplifiercanbebiasedtosupporttherequirementsoffrequencyhoppingordirec	MIMIX Mimix Broadband	MIMIX

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产品属性

产品编号：
MAX2321EUP+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块
包装：
管件
功能：
双频带 LNA/混频器
频率：
800MHz ~ 1GHz，1.8GHz ~ 2.5GHz
射频类型：
CDMA，GSM，PDC，TDMA，WCDMA
辅助属性：
带 LO 倍增器
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
20-TSSOP-EP
描述：
IC LNA/MIXER SIGE ADJ 20TSSOP

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