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MBR230LS	文件：748.95 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features LowTurn-onVoltage FastSwitching PNJunctionGuardRingTransientandESDProtection DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial—ULRecognitionFlammability Classification94V-O GreenProductsinCompliancewiththeROHSDirective Terminalsfinish:100PureTin Thi	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBR230LSF	文件：469.64 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYDIODEREVERSEVOLTAGE30VFORWARDCURRENT2.0A DESCRIPTION TheMBR230LSFisavailableinSOD-123FLPackage FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountedapplications Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBR230LSTR	文件：478.98 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadl	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBRS230	文件：362.379 Kbytes Page：2 Pages	2A30VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MBRS230	文件：1.09861 Mbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentc	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBRS230F	文件：789.98 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MBRS230L	文件：65.269 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS230L	文件：255.61 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleina metal−to−siliconpowerrectifier.Featuresepitaxialconstructionwith oxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlow voltage,highfrequencyswitchingpowersupplies;freewheeling diodesandpolarityprotectiondiod	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS230L	文件：53.59 Kbytes Page：4 Pages	2.0ALOWVFSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowForwardVoltage EpitaxialConstructionwithOxidePassivation GuardRingforTransientandESDProtection SurgeOverloadRatingto50APeak LowPowerLoss FastSwitching IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MBRS230L	文件：1.17552 Mbytes Page：3 Pages	LOWVFSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammabilityclassification94V-0UtilizingFame RetardantEpoxyMoldingCompound Forsurfacemountapplications Lowleakagecurrent.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

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