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MBR2045BCT	文件：1.63112 Mbytes Page：3 Pages	20ASurfaceMountHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR2045BCT	文件：302.56 Kbytes Page：4 Pages	PowerSchottkyRectifier	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
MBR2045C	文件：31.45 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES FEATURES GuardRingforTransientProtection LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop MaximumRepetitivePeakReverseVoltageVRRM45V Maximumnon-repetitivePeakReverseVoltageVRM45V MaximumDCBlockingVoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR2045C	文件：449.71 Kbytes Page：9 Pages	HIGHEFFICIENCYPOWERSCHOTTKYRECTIFIER IF(AV)2*10A VRRM45V TJ150oC VF(max)0.57V GeneralDescription HighefficiencydualSchottkyrectifiersuitedforswitchmodepowersuppliesandotherpowerconverters.Thisdeviceisintendedforuseinmediumvoltageoperation,andparticularly,inhighfrequencycircuitswherelowswitch	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
MBR2045C	文件：90.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR2045C	文件：454.34 Kbytes Page：8 Pages	HIGHEFFICIENCYPOWERSCHOTTKYRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR2045C	文件：341.11 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MBR2045CA	文件：666.91 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereDualCommonAnodeSchottkyBarrierRectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBR2045CA	文件：666.91 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereDualCommonAnodeSchottkyBarrierRectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBR2045CD	文件：577.05 Kbytes Page：2 Pages	40to200VoltsForwardCurrent-20.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0. FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability •Foruseinlowvoltage,highfrequen	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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产品属性

产品编号：
MAX2045ETJ
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块
包装：
卷带（TR）
功能：
高增益矢量倍频器
频率：
2.04GHz ~ 2.24GHz
射频类型：
手机，DCS，GSM，PCS，UMTS
辅助属性：
15dBm 输入 IP3
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
32-TQFN（5x5）
描述：
IC VECTOR MULTIPLIERS 32TQFN

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