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MBR2045C	文件：31.45 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES FEATURES GuardRingforTransientProtection LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop MaximumRepetitivePeakReverseVoltageVRRM45V Maximumnon-repetitivePeakReverseVoltageVRM45V MaximumDCBlockingVoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR2045C	文件：449.71 Kbytes Page：9 Pages	HIGH EFFICIENCY POWER SCHOTTKY RECTIFIER IF(AV)2*10A VRRM45V TJ150oC VF(max)0.57V GeneralDescription HighefficiencydualSchottkyrectifiersuitedforswitchmodepowersuppliesandotherpowerconverters.Thisdeviceisintendedforuseinmediumvoltageoperation,andparticularly,inhighfrequencycircuitswherelowswitch	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
MBR2045C	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH EFFICIENCY POWER SCHOTTKY RECTIFIER; Guard Ring Die Construction for Transient Protection\nHigh Surge Current Capability\nLow Forward Voltage Drop\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device; This SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER is designed to meet the stringent requirements of Commercial Applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
MBR2045C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Diodes;	RectronRectron Semiconductor 丽正	Rectron
MBR2045C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Schottky Diode;	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR2045C	文件：90.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MBR2045C	文件：454.34 Kbytes Page：8 Pages	HIGH EFFICIENCY POWER SCHOTTKY RECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR2045C	文件：341.11 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MBR2045CA	文件：666.91 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Dual Common Anode Schottky Barrier Rectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBR2045CA	文件：666.91 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Dual Common Anode Schottky Barrier Rectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Dual
MaximumAverageRectifiedCurrent IO (A)：
20 A
@ TerminalTemperature TT (ºC)：
N/A ºC
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
45 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A)：
150 A
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.65 V
@ IF (A)：
10 A
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
100 µA
@ VR (V)：
45 V
Packages：
TO220-3

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更多MBR2045C供应商更新时间2025-7-30 11:14:00

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