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MUR20020CT

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR20020CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MUR20020CTR

SuperFastRecoveryDiode,200A

Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MUR20020CTR

HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS

Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MUR20020CTR

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20020

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURF20020R

SiliconSuperFastRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MURP20020CT

ULTRAFASTRECTIFIERS200AMPERES,200??00VOLTS

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MURP20020CT

ULTRAFASTRECTIFIERS200AMPERES200.400VOLTS

POWERTAPIIUltrafastSWITCHMODE™PowerRectifiers ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •LowForwardVoltage •175°COperatingJu

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MURP20020CT

POWERTAP??IIUltrafastSWITCHMODE??PowerRectifiers

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MAX20020ATBD/V+T

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 功能:

    降压

  • 输出配置:

  • 拓扑:

    降压

  • 输出类型:

    固定

  • 输出数:

    2

  • 电压 - 输入(最小值):

    3.5V

  • 电压 - 输入(最大值):

    17V

  • 电压 - 输出(最小值/固定):

    2.8V,1.2V

  • 电流 - 输出:

    500mA,500mA

  • 频率 - 开关:

    3.2MHz

  • 同步整流器:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-WFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-TDFN-EP(2x3)

  • 描述:

    3.2MHZ, 500MA DUAL STEP-DOWN CON

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Maxim
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Maxim
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10-WFDFN
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更多MAX20020ATBD/V+T供应商 更新时间2025-7-26 16:30:00