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MUR20010CT	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CT	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CTR	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20010CTR	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20010CTR	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20010CTR	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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MURF20010R	文件：342.53 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：730.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT20010	文件：360.32 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

产品属性

产品编号：
MAX20010DATPN/V+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
3V
电压 - 输入（最大值）：
5.5V
电压 - 输出（最小值/固定）：
1V
电流 - 输出：
6A
频率 - 开关：
2.2MHz
同步整流器：
是
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
20-TQFN（4x4）
描述：
AUTOMOTIVE SINGLE 6A STEP-DOWN C

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